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      硅-硅键合片

      当外延层厚度大于50um,硅-硅键合片具有更好的成本优势。 


      对于高压器件,例如MOSFET和IGBT来说,是可行的替代材料。


      良好的TEM和SRP测试结果,确保硅-硅键合片的质量。       

          

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