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      栏目内容

      SOI制造技术

      TM-SOI
        硅基科技公司采用具有自主知识产权的TM-SOI薄膜转移技术,利用低温微波氛围将注入的氢离子激活,实现行业较先进的“硅片键合+薄膜转移”的裂片工艺,制造高质量、膜厚均匀的SOI晶圆片。
        薄膜产品包括薄膜SOI(device layer>100nm)和超薄膜SOI(device layer <100nm)。

       

      TM+EPI SOI
        利用公司自有的TM-SOI薄膜转移技术与外延技术相结合,实现TM-SOI硅片的器件层增厚,制造高品质的外延SOI晶圆片。同时,外延技术可以与TM-SOI技术结合,制备用于65nm-14nm节点采用的sSOI、Ge等相关的先进材料。

       

      Bonded SOI
        在传统的键合SOI工艺基础上,采用高精度加工设备,实现更好的器件层厚度精度,从而改善片内均匀性和提高产品性能。

      硅基科技与客户合作加工图形SOI,由客户提供有图形的衬底片,进行后续的键合、顶层磨抛工艺,形成完整的结构。

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